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IXZ308N120

更新时间:2025-05-23 21:36:26
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IXZ308N120 规格参数
  • 晶体管类型:
    RF MOSFET
  • 电压, Vds 最大:
    1.2kV
  • 电流, Id 连续:
    8A
  • 功耗, Pd:
    880W
  • 工作温度范围:
    -55°C 到 +175°C
  • 封装类型:
    DE375
  • 针脚数:
    6
  • 上升时间:
    5ns
  • 功率, Pd:
    880W
  • 在电阻RDS（上）:
    2.1ohm
  • 封装类型:
    DE-375
  • 封装类型:
    DE-375
  • 晶体管极性:
    ?频道
  • 最大功耗:
    880W
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量:
    20V
  • 电压, Vds 典型值:
    1.2kV
  • 电容值, Ciss 典型值:
    1960pF
  • 阈值电压, Vgs th 典型值:
    6.5V
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