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K8D1716UBC-DI07
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其它信息:
单电压:VCC=2.7~3.6V(读/写操作电压); 结构:1048576×16位(字模式); 快速读存取时间:70ns; 编程/擦除操作时读; 双Bank体系结构:Bank1/Bank2:8M位/8M位; 安全码块:额外的64KB块; 功率消耗(典型值5MHz时):读电流:14mA,编程/擦除电流:15mA,编程时读或擦除时读电流:25mA,待机模式/自动睡眠模式:5μA;WP/ACC输人引脚:在VIH时允许2个最外层的启动区特殊保护,与块保护状态无关; 在VIH时删除2个最外层的启动区特殊保护,2个块恢复正常块保护状态; 在YHH时编程时间:9μs/字; 擦除暂停/恢复; 解锁旁路编程; 硬件RESET引脚; 控制存储器操作; 块组保护/非保护; 支持通用的Flash存储器接口;工业级温度:-40~85℃; 100000次编程/擦除周期,10年的数据保留时间; 封装:48引脚的TSOP和FBGA封装;存取时间:70ns;工业级温度:-40~85℃
引脚图:
IC型号索引: A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9
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