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KGF20N60KDA

更新时间:2025-05-31 00:12:49

供应商
产品型号
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封装/批号
说明
询价

深圳市辉华电子半导体有限公司
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深圳市华盛锦科技有限公司
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8000
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8000
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原装现货，支持BOM配单

深圳市华美锐电子有限公司
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100000
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KEC深圳一级代理原装长期供货

柒号芯城电子商务(深圳)有限公
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8000
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4500
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深圳市永贝尔半导体有限公司
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9200
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1000
-
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4500
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-

深圳市粤东诚信电子有限公司
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30000
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深圳市威雅利发展有限公司
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深圳市万佳电子贸易有限公司
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深圳市金灿利电子科技有限公司
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KGF20N60KDA 概述

KGF20N60KDA是由韩国半导体制造商KEC生产的一款高性能N沟道功率MOSFET。该器件采用先进的平面栅极结构，具有低导通电阻和快速开关特性，适用于高频应用。其最大漏源电压（Vds）为600V，连续漏极电流（Id）可达20A，非常适合用于高压、大电流的应用场景。典型应用场景包括不间断电源（UPS）、逆变器、开关电源（SMPS）以及各种工业控制设备中的电源管理模块。由于其优异的热稳定性和高效率，特别适合在高温环境下工作。在电路设计中，建议使用适当的散热措施以确保最佳性能。驱动电路应保证栅极电压足够高以充分开启MOSFET，并且需要考虑栅极电阻的选择来优化开关速度与EMI之间的平衡。对于并联使用的情况，需注意均流设计以避免单个器件过载。

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