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LAA110STR

更新时间:2025-06-15 00:47:27

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深圳市创芯联盈电子有限公司
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LAA110STR 概述

LAA110STR是意法半导体（STMicroelectronics）生产的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用SMD封装形式，具有低导通电阻和高效率特性，适用于需要快速开关操作的电源管理应用。其最大漏源电压为100V，适合在中等电压等级的电路中使用。LAA110STR广泛应用于DC-DC转换器、电机驱动、负载开关以及电池管理系统等领域。由于其良好的热稳定性和紧凑的设计，特别适合于对空间有严格要求的小型化电子产品中。在实际应用时，需注意栅极驱动电压的选择以确保MOSFET能够完全开启，并且在布局PCB时应尽量减小寄生电感的影响以优化性能。

LAA110STR 规格参数

标准包装
1
类别
继电器
家庭
固态
系列
LAA, OptoMOS®
电路
DPST（2 A 型）
输出类型
AC，DC
导通状态电阻
35 欧姆
负载电流
120mA
输入电压
1.2VDC
电压 - 负载
0 ~ 350 V
安装类型
表面贴装
端接类型
鸥翼型
封装/外壳
8-SMD（0.300"，7.62mm）
供应商设备封装
8-SMD
包装
Digi-Reel®
继电器类型
继电器
其它名称
CLA236DKR

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