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LAA676

更新时间:2025-05-26 02:51:12

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说明
询价

深圳市集好芯城科技有限公司
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华珠电子（国际）有限公司
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原装,自家库存,B柜

深圳市得捷芯城科技有限公司
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深圳市宏创兴泰电子有限公司
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深圳市思跃电子有限公司
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深圳市威雅利发展有限公司
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深圳市誉辉天成电子有限公司
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优势渠道现货,提供一站式配单服务

深圳市科翼源电子有限公司
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柒号芯城，离原厂的距离只有0.07公分

深圳市金灿利电子科技有限公司
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全新原装现货/实单价格支持/优势渠道

深圳市金灿利电子科技有限公司
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全新原装现货/优势渠道/提供一站式配单

深圳市驰源科技有限公司
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一站式配单，只做原装

深圳市博信盛科技有限公司
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原装现货报价当天为准

深圳市德江源电子有限公司
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艾润（香港）电子有限公司
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华珠电子（国际）有限公司
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18000
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原装,自家库存,B柜

深圳市金锐力科技有限公司
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深圳市星宇佳科技有限公司
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贸泽芯城（深圳）电子科技有限
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深圳市行进微电子有限公司
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LAA676 概述

676是安森美半导体（ON Semiconductor）生产的一款N沟道增强型功率MOSFET。该器件采用先进的沟槽技术制造，具有低导通电阻和快速开关特性，适用于高效能电源管理应用。其最大漏源电压（Vds）为60V，连续漏极电流（Id）可达30A，适合于需要高效率和紧凑设计的场合。典型应用场景包括直流-直流转换器、负载点调节器以及电机驱动电路等。由于其出色的热性能和电气特性，LAA676在工业控制、消费电子设备等领域表现出色，能够帮助工程师设计出更节能且可靠的系统。在实际应用中，建议合理选择栅极驱动电阻以优化开关速度，并注意PCB布局以确保良好的散热效果。

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