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LBTN560Y3T1G

更新时间:2025-05-16 13:33:21

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LBTN560Y3T1G 概述

LBTN560Y3T1G是安世半导体（Nexperia）生产的一款P沟道增强型MOSFET。该MOSFET采用超小尺寸的无引脚DFN1006BD-2封装，适合高度紧凑的应用场景。其最大漏源电压(VDS)为-20V，连续漏电流(ID)在25°C下可达到-2A。这款MOSFET具有低导通电阻(RDS(on))特性，在4.5V栅源电压下典型值为0.058Ω，有助于降低导通损耗。它适用于电池供电设备、负载开关以及电源管理等应用场景，如智能手机和平板电脑中的电源控制电路。由于其小型化设计，特别适合空间受限的设计需求。使用时需注意遵循推荐的PCB布局以确保良好的散热性能和电气连接。

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