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LM3D65N06

更新时间:2025-05-19 23:40:48

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LM3D65N06 概述

LM3D65N06是由On Semiconductor（安森美半导体）生产的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用DPAK封装，具有低导通电阻和高开关速度的特点，适用于高频开关电源应用。其最大漏极-源极电压(VDS)为60V，连续漏极电流(ID)可达24A，适合于DC-DC转换器、电机驱动以及负载开关等需要高效能功率管理的场合。此外，LM3D65N06还具备低栅极电荷(Qg)，有助于降低开关损耗，提高整体效率。在设计时应注意确保栅极驱动电压足够高以充分开启MOSFET，并且在PCB布局上尽量减小寄生电感，以避免振荡现象的发生。对于需要紧凑设计和高效能的应用，LM3D65N06是一个理想的选择。

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