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LM5109ASD

更新时间:2025-06-17 10:43:30

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深圳市芯国创科技有限公司
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LM5109ASD 概述

LM5109ASD是由德州仪器（Texas Instruments）生产的一款高性能半桥驱动器，专门设计用于控制N沟道MOSFET或IGBT。该器件集成了高端和低端驱动器，能够提供高达2A的峰值输出电流，适用于高频开关应用。其输入逻辑兼容标准CMOS或LSTTL，支持3.3V至18V的宽电压范围。内置的死区时间保护功能可防止上下管同时导通导致的短路现象。LM5109ASD广泛应用于电机驱动、DC-DC转换器、不间断电源（UPS）、逆变器等功率电子设备中。在实际应用中，建议合理布局PCB以减少噪声干扰，并确保散热设计满足要求。

LM5109ASD 规格参数

制造商
National Semiconductor (TI)
类型
High and Low Side
上升时间
15 ns (Typ)
下降时间
15 ns (Typ)
Supply Voltage - Max
14 V
Supply Voltage - Min
8 V
电源电流
1.8 mA (Typ)
最大工作温度
+ 125 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
LLP EP
封装
Reel
配置
Non-Inverting
最大关闭延迟时间
2 ns (Typ)
最大开启延迟时间
2 ns (Typ)
最小工作温度
- 40 C
激励器数量
2
输出端数量
2
输出电流
1 A (Typ)
工厂包装数量
1000

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