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MBR1100

更新时间:2024-06-09 12:04:40
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  • 其它信息：

    硅二极管,100V,10A

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MBR1100外观图

  • 大小：129.25KB
  • 厂家：SUNMATE/森美特
  • 描述：R110 R16 R14 R12 VOLTAGE RANGE: 20 - 100V MBR120F - MBR1100F Characteristic MBR1100F MBR160F MBR140F MBR120F CURRENT: 1.0 A Maximum Ratings and Electrical Characteristics T A = 25C unless otherwise specified Single phase, half wave, 60Hz, resistive or inductive load. For capacitive load, derate current by 20%. The plastic package carries Underwriters Laboratory Flammability Classification 94V-0 Metal silicon junction,majority carrier conduction Low power loss,high efficiency High forward surge current capability High temperature soldering guaranteed: 250 C/10 seconds,0.375 ” (9.5mm) lead length, 5 lbs. (2.3kg) tension Features ! ! ! ! ! SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER DIODES Note:1.Measured at 1MHz and applied reverse voltage of 4.0V D.C. 20 14 20 VRRM V RMS VDC I(AV) IFSM VF 1.0 25.0 0.70 Operating junction temperature range Maximum repetitive peak reverse voltage Maximum RMS voltage Maximum DC blocking voltage Maximum average forward rectified current Peak forward surge curr
  • 标准包装：1,000
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：单二极管/整流器
  • 系列：-
  • 二极管类型：肖特基
  • 电压 - (Vr)（最大）：100V
  • 电流 - 平均整流 (Io)：1A
  • 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）：790mV @ 1A
  • 速度：快速恢复 = 200mA（Io）
  • 反向恢复时间(trr)：-
  • 电流 - 在 Vr 时反向漏电：500µA @ 100V
  • 电容@ Vr, F：-
  • 安装类型：通孔
  • 封装/外壳：DO-204AL，DO-41，轴向
  • 供应商设备封装：轴向
  • 包装：散装
  • 其它名称：MBR1100OS
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    [相关信息]...@IF(V):0.53@1.0A非重复峰值浪涌电流IFSM(max)(A):40瞬间反转电流IR(max)(mA):1.6@100℃封装/温度(℃):2SOD123/-65~150价格/1片(套):￥.99 来源:xiangxueqin...     MBR120 MBR12050CT MBR120ESFT1G MBR120ESFT3 MBR120ESFT3G MBR120LSF1G MBR120LSFT1 MBR120LSFT1G MBR120LSFT3 MBR120LSFT3G MBR120LT1 MBR120PRL MBR120VLSFT1 MBR120VLSFT1G MBR120VLSFT3G MBR130
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