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MBR3580

更新时间:2025-06-13 10:00:02
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MBR3580 规格参数
  • 制造商
    GeneSiC Semiconductor
  • 产品
    Schottky Diodes
  • 峰值反向电压
    80 V
  • 正向连续电流
    35 A
  • 最大浪涌电流
    600 A
  • 正向电压下降
    0.88 V
  • 最大反向漏泄电流
    1 uA
  • 工作温度范围
    - 55 C to + 150 C
  • 安装风格
    Through Hole
  • 封装 / 箱体
    DO-4
  • 工厂包装数量
    5
芯知识
2.6万
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广东微尔科技有限公司
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