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MBR60030CTR

更新时间:2025-05-22 02:45:51
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MBR60030CTR 规格参数
  • 制造商
    GeneSiC Semiconductor
  • 产品
    Schottky Diodes
  • 峰值反向电压
    30 V
  • 正向连续电流
    600 A
  • 最大浪涌电流
    4000 A
  • 正向电压下降
    0.75 V
  • 最大反向漏泄电流
    1 uA
  • 工作温度范围
    - 40 C to + 150 C
  • 安装风格
    SMD/SMT
  • 封装 / 箱体
    Module
  • 封装
    Bulk
  • 工厂包装数量
    25
芯知识
2.6万
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广东微尔科技有限公司
MBR60030CTR推荐型号
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