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MDP7N60TH

更新时间:2025-05-18 08:34:40

供应商
产品型号
服务标识
数量
厂商
封装/批号
说明
询价

深圳市诚研翔科技有限公司
MDP7N60TH
BOM配单
只做原装正品，提供一站式配套服务
上传BOM

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深圳市诚研翔科技有限公司
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深圳市诚研翔科技有限公司
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深圳市科圳威电子有限公司
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深圳市芯齐壹科技有限公司展会宣传
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MDP7N60TH 概述

MDP7N60TH是MagnaChip Semiconductor生产的一款高压N沟道功率MOSFET，采用TO-220封装。该器件设计用于高效能的电源管理应用，具备低导通电阻和快速开关特性，适用于交流-直流（AC-DC）和直流-直流（DC-DC）转换器、适配器、照明系统等。其最大漏极-源极电压为600V，连续漏极电流可达7A，在高频条件下也能保持较低的能量损耗，有助于提升整体系统效率并减少散热需求。在实际应用中，需注意确保栅极驱动电路稳定可靠，并且要根据具体工作环境合理选择散热措施。例如，在设计开关电源时，可以将此MOSFET与PWM控制器配合使用以实现高效的能量转换。

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