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ME35N10-G

更新时间:2025-06-19 05:18:30

供应商
产品型号
服务标识
数量
厂商
封装/批号
说明
询价

香港晨兴安富利电子有限公司
ME35N10-G
BOM配单
原厂代理，专业配单，买原装料，找香港晨兴安富利
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原装现货，配单助手

深圳市威尔健半导体有限公司
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军工单位、研究所指定合供方,一站式解决BOM配单

深圳市硅诺电子科技有限公司
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现代芯城（深圳）科技有限公司
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深圳市创芯联盈电子有限公司
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2500个/圆盘一级代理专营品牌原装，优势现货，长期

柒号芯城电子商务(深圳)有限公
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柒号芯城，离原厂的距离只有0.07公分

深圳市万佳电子贸易有限公司
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深圳市科翼源电子有限公司
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深圳市腾迅辉电子科技有限公司
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深圳市金灿利电子科技有限公司
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深圳市芯齐壹科技有限公司展会宣传
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现代芯城（深圳）科技有限公司
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深圳市赛美科科技有限公司
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深圳市福田区晶康业电子商行
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深圳市星宇佳科技有限公司
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深圳市粤东诚信电子有限公司
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司
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全新原装现货/优势渠道/提供一站式配单

深圳市君云达电子科技有限公司
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深圳市永贝尔半导体有限公司
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ME35N10-G 概述

ME35N10-G是由MagnaChip Semiconductor生产的N沟道增强型功率MOSFET。该器件采用先进的沟槽技术制造，具有低导通电阻和快速开关特性。其最大漏源电压（VDS）为100V，适合在高电压应用环境中使用。典型应用场景包括直流-直流转换器、电动工具、不间断电源系统（UPS）以及各种工业控制设备中的开关电路。由于其低栅极电荷（Qg），能够实现高效能的功率转换，特别适用于对效率要求较高的场合。在实际应用中，设计者应注意合理选择栅极驱动电阻以优化开关速度并减少EMI干扰。建议在PCB布局时尽量缩短源极到栅极之间的走线距离，以降低寄生电感的影响。同时，确保有足够的散热措施来维持器件的稳定工作温度。

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苏州固锝电子股份有限公司

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