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MJ11032G

更新时间:2025-07-04 04:10:18
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MJ11032G外观图

MJ11032G

ON Semiconductor 晶体管(BJT) - 单路

TRANS DARL NPN 50A 120V TO3

  • 封装:TO-204AE
MJ11032G 规格参数
  • 标准包装
    100
  • 类别
    分离式半导体产品
  • 家庭
    晶体管(BJT) - 单路
  • 系列
    -
  • 晶体管类型
    NPN - 达林顿
  • 电流 - 集电极 (Ic)（最大）
    50A
  • 电压 - 集电极发射极击穿（最大）
    120V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）
    3.5V @ 500mA，50A
  • 电流 - 集电极截止（最大）
    2mA
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)
    1000 @ 25A，5V
  • 功率 - 最大
    300W
  • 频率 - 转换
    -
  • 安装类型
    通孔
  • 封装/外壳
    TO-204AE
  • 供应商设备封装
    TO-3
  • 包装
    托盘
  • 其它名称
    MJ11032GOS
MJ11032G Datasheet数据手册 PDF下载
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