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MJD49T4

更新时间:2025-05-20 10:34:56
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MJD49T4 规格参数
  • 制造商
    STMicroelectronics
  • 产品种类
    Transistors Bipolar (BJT)
  • 晶体管极性
    NPN
  • 集电极—发射极最大电压 VCEO
    350 V
  • 发射极 - 基极电压 VEBO
    5 V
  • 最大直流电集电极电流
    1 A
  • 直流集电极/Base Gain hfe Min
    30
  • 最大工作频率
    10 MHz
  • 最大工作温度
    + 150 C
  • 安装风格
    SMD/SMT
  • 封装 / 箱体
    TO-252
  • 封装
    Reel
  • 集电极连续电流
    1 A
  • 功率耗散
    15 W
  • 工厂包装数量
    2500
广告
芯知识
2.1万
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广东微尔科技有限公司
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