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MJW21196

更新时间:2025-07-05 00:31:54

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深圳市芯国创科技有限公司
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深圳市格尔微电子有限公司
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MJW21196

ON Semiconductor 晶体管(BJT) - 单路

TRANS BIPO NPN 16A 250V TO247

封装:TO-247-3

MJW21196 概述

MJW21196是由Microsemi（已被Microchip收购）生产的一款高压功率MOSFET。该器件采用TO-264封装，具备低导通电阻和快速开关特性，适用于高电压、大电流的应用场景。其最大漏源电压（Vds）可达1000V，连续漏极电流（Id）高达47A，非常适合用于工业电源、电机驱动和不间断电源系统（UPS）等需要高效能量转换的场合。在具体应用中，MJW21196常被用作主开关管，负责控制电能的传输与转换。设计时应注意合理选择栅极电阻以优化开关速度，并确保散热措施得当，避免因过热导致性能下降或损坏。对于高频应用，建议进行PCB布局优化，减少寄生电感影响，提高整体效率。此外，在电路设计时需考虑适当的保护机制如过流保护和过压钳位，以增强系统的稳定性和可靠性。

MJW21196 规格参数

标准包装
30
类别
分离式半导体产品
家庭
晶体管(BJT) - 单路
系列
-
晶体管类型
NPN
电流 - 集电极 (Ic)（最大）
16A
电压 - 集电极发射极击穿（最大）
250V
Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）
3V @ 3.2A，16A
电流 - 集电极截止（最大）
100µA
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)
20 @ 8A，5V
功率 - 最大
200W
频率 - 转换
4MHz
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-247-3
供应商设备封装
TO-247
包装
管件
其它名称
MJW21196OS

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