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MMBT4124LT1G

更新时间:2025-05-19 01:26:14

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封装/批号
说明
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深圳市优尚半导体科技有限公司
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深圳市威尔健半导体有限公司
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深圳市科圳威电子有限公司
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进口原装现货假一赔十

深圳市蓝图麦浪电子科技有限公
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回收此型号，工厂呆料处理

深圳市积美福电子科技有限公司
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ON SEMICONDUCTOR
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深圳市富莱微科技有限公司
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8963
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TO2363 SC59 SOT233/22+
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深圳市星宇佳科技有限公司
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深圳市金科创世纪电子有限公司
MMBT4124LT1G
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深圳市华芯盛科电子有限公司
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深圳市英特翎科技有限公司
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深圳市万芯时代贸易有限公司
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回收此型号MMBT4124LT1G

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MMBT4124LT1G外观图

MMBT4124LT1G

ON Semiconductor 晶体管(BJT) - 单路

TRANS NPN 25V 200MA SOT23-3

封装:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

MMBT4124LT1G 概述

MMBT4124LT1G是安森美半导体生产的一款NPN小信号晶体管，采用SOT-23封装。该晶体管具有高电流增益和低噪声特性，适用于需要精确信号放大和快速开关的电路中。其集电极-发射极击穿电压为40V，最大集电极电流可达500mA，适合驱动中等功率负载。常见应用场景包括消费类电子产品如手机、平板电脑中的信号处理电路，以及工业控制设备中的传感器接口和信号调理电路。在音频放大器电路中，可以利用其优良的线性度来减少失真。设计时需注意散热问题，避免因过热导致性能下降。由于采用SOT-23小型封装，在PCB布局时要注意焊接工艺以确保良好电气连接。

MMBT4124LT1G 规格参数

标准包装
3,000
类别
分离式半导体产品
家庭
晶体管(BJT) - 单路
系列
-
晶体管类型
NPN
电流 - 集电极 (Ic)（最大）
200mA
电压 - 集电极发射极击穿（最大）
25V
Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）
300mV @ 5mA，50mA
电流 - 集电极截止（最大）
-
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)
120 @ 2mA，1V
功率 - 最大
225mW
频率 - 转换
300MHz
安装类型
表面贴装
封装/外壳
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商设备封装
SOT-23-3（TO-236）
包装
带卷 (TR)
其它名称
MMBT4124LT1G-NDMMBT4124LT1GOSTR

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