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MPS6601G

更新时间:2025-07-18 02:05:16
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MPS6601G外观图

MPS6601G

ON Semiconductor 晶体管(BJT) - 单路

TRANS NPN GP SS 25V TO92

  • 封装:TO-226-3、TO-92-3 标准主体
MPS6601G 规格参数
  • 标准包装
    5,000
  • 类别
    分离式半导体产品
  • 家庭
    晶体管(BJT) - 单路
  • 系列
    -
  • 晶体管类型
    NPN
  • 电流 - 集电极 (Ic)（最大）
    1A
  • 电压 - 集电极发射极击穿（最大）
    25V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）
    600mV @ 100mA，1A
  • 电流 - 集电极截止（最大）
    100nA
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)
    50 @ 500mA，1V
  • 功率 - 最大
    625mW
  • 频率 - 转换
    100MHz
  • 安装类型
    通孔
  • 封装/外壳
    TO-226-3、TO-92-3 标准主体
  • 供应商设备封装
    TO-92-3
  • 包装
    散装
  • 其它名称
    MPS6601GOS
MPS6601G Datasheet数据手册 PDF下载
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