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MRF8P20160HSR3

更新时间:2025-06-09 11:50:08
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MRF8P20160HSR3外观图

MRF8P20160HSR3

Freescale Semiconductor RF FET

DISCRETE RF FET

  • 封装:NI-780HS-4
MRF8P20160HSR3 规格参数
  • 标准包装
    250
  • 类别
    分离式半导体产品
  • 家庭
    RF FET
  • 系列
    -
  • 晶体管类型
    LDMOS（双）
  • 频率
    1.92GHz
  • 增益
    16.5dB
  • 电压 - 测试
    28V
  • 额定电流
    -
  • 噪音数据
    -
  • 电流 - 测试
    550mA
  • 功率 - 输出
    37W
  • 电压 - 额定
    65V
  • 封装/外壳
    NI-780HS-4
  • 供应商设备封装
    NI-780HS-4
  • 包装
    带卷 (TR)
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