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MSCM20XM10T3XG

更新时间:2025-05-18 07:44:09
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FCA47N60NTD80N02T4GH11L1MAD7528JRMOC3083M5KP24APA503EMGLM2937ESX-5.0
MSCM20XM10T3XG 规格参数
  • 现有数量
    11现货
  • 系列
    -
  • 包装
    散装
  • 产品状态
    在售
  • 技术
    MOSFET（金属氧化物）
  • 配置
    6 N-沟道（3 相桥）
  • FET 功能
    -
  • 漏源电压（Vdss）
    200V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
    108A（Tc）
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
    9.7 毫欧 @ 81A，10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
    5V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）
    161nC @ 10V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
    10700pF @ 50V
  • 功率 - 最大值
    341W（Tc）
  • 工作温度
    -40°C ~ 125°C（Tc）
  • 安装类型
    底座安装
  • 封装/外壳
    模块
  • 供应商器件封装
    SP3X
芯知识
2.1万
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广东微尔科技有限公司
MSCM20XM10T3XG推荐型号
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