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MV2N5116

更新时间:2025-05-28 20:36:34
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MV2N5116 规格参数
  • 现有数量
    0现货
  • 系列
    Military, MIL-PRF-19500
  • 包装
    散装
  • 产品状态
    在售
  • FET 类型
    P 通道
  • 电压 - 击穿 (V(BR)GSS)
    30 V
  • 漏源电压（Vdss）
    30 V
  • 不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss)
    25 mA @ 15 V
  • 漏极电流 (Id) - 最大值
    -
  • 不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off)
    6 V @ 1 nA
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
    27pF @ 15V
  • 电阻 - RDS(On)
    100 Ohms
  • 功率 - 最大值
    500 mW
  • 工作温度
    -65°C ~ 200°C（TJ）
  • 安装类型
    通孔
  • 封装/外壳
    TO-206AA，TO-18-3 金属罐
  • 供应商器件封装
    TO-18（TO-206AA）
芯知识
2.1万
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广东微尔科技有限公司
MV2N5116推荐型号

IC型号索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

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