其它信息：
位结构：4194304×16；单电源操作：3.0V读、擦除和编程操作电压；VCC＝VCCQ＝2.7～3.6V；工作温度：－40～85℃；快速存取时间：90/120ns；低功率消耗：9mA最大动态读电流，f＝5MHz(CMOS输入)，21mA最大编程擦除电流(VPP＝1.65～3.6V)，7μA典型电源保护模式下待机电流；扇区架构：扇区擦除(扇区结构：4K字×2(启动扇区)，4K字×6(参数扇区)，32K字×127(参数扇区)，顶部/底部启动；自动擦除(芯片、扇区)和自动编程：自动编程并验证指定地址的数据；自动暂停提高：字写入暂停阅读，扇区擦除暂停到字写入，扇区擦出到读存储器接收；自动扇区擦除，全芯片擦除，字写入和扇区锁定/解锁配置；状态回复：编程检测和擦除操作完成，命令用户界面(CUI)，状态存储器(SR)；数据保护性能：包括启动扇区、参数和主要扇区的锁定/解锁；100000次的擦除/编程周期；公共闪存接口(CFI)；128位保护存储器：64位独特的识别装置，64位用户可编程；封装：48引脚的TSOP封装；存取时间：90ns
引脚图：
IC型号索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9
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