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NCE55H11

更新时间:2025-07-06 19:30:26

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深圳市辉华电子半导体有限公司
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深圳市君云达电子科技有限公司
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深圳市永贝尔半导体有限公司
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NCE55H11 概述

55H11是由无锡新洁能股份有限公司生产的P沟道增强型MOSFET。它采用TO-252封装，具有低导通电阻特性，在栅源电压为 -4.5V时，其最大导通电阻仅为30mΩ（典型值）。该MOSFET的最大漏极 - 源极电压为 -55V，连续漏极电流可达 -7.2A。这款MOSFET适用于多种应用场景，如直流 - 直流转换器、电机驱动以及负载开关等。在电机驱动电路中，可利用其低导通电阻特性减少导通损耗，提高系统效率。在使用时要注意避免超过其最大额定电压和电流，防止器件损坏。例如在设计一个简单的直流电机驱动电路时，可以将NCE55H11作为开关管，通过控制栅极电压来实现电机的正转与停止操作。

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