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NCEP090N10GU

更新时间:2025-06-19 07:35:23

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NCEP090N10GU 概述

NCEP090N10GU是一款由NCE（无锡新洁能）生产的低导通电阻N沟道增强型MOSFET。该器件采用先进的沟槽技术制造，具有极低的Rds(on)，典型值为9.0mΩ（在4.5V栅极电压下），这使得它在功率转换应用中表现出色。其最大漏源电压Vds为100V，连续漏极电流Id可达38A。这款MOSFET适用于广泛的电源管理应用，包括但不限于DC-DC转换器、电池充电器、电机驱动以及负载开关等场合。由于其出色的热性能和高效率特性，在工业控制、电动工具和个人电子产品等领域中也被广泛采用。在实际应用中，设计者应注意保持良好的散热条件以确保最佳性能。建议在PCB布局时给予足够的铜面积帮助散热，并且正确选择栅极驱动电阻来优化开关速度与EMI之间的平衡。此外，在进行电路设计时需遵循制造商提供的电气参数范围以保证可靠运行。

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