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NDFP03N150CG

更新时间:2025-05-17 19:17:43

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深圳市诚研翔科技有限公司
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深圳市诚研翔科技有限公司
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NDFP03N150CG 概述

NDFP03N150CG是由安森美半导体(ON Semiconductor)生产的一款高压MOSFET。该器件采用先进的平面技术，具有低导通电阻和快速开关特性。它能够承受高达150V的漏源电压，适用于需要高效率和紧凑设计的应用场景。典型应用包括直流-直流转换器、不间断电源系统、电机驱动控制等工业领域。在消费类电子产品中，也可用于充电器和适配器等设备。其封装形式为SOT-223，便于PCB布局和散热管理。使用时应注意适当的栅极驱动设计以确保可靠开关，建议在栅极串联小电阻来抑制振荡。在PCB布线时应尽量缩短源极和栅极走线，减少寄生电感影响。对于高频应用，需注意选择合适的栅极电阻值以优化开关性能。

NDFP03N150CG 规格参数

现有数量
0现货
系列
-
包装
管件
产品状态
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
1500 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
2.5A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
10.5 欧姆 @ 1A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
-
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）
34 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
650 pF @ 30 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
2W（Ta），32W（Tc）
工作温度
150°C（TJ）
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-220-3
封装/外壳
TO-220-3 整包

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