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NDH8321C

更新时间:2025-06-13 09:56:52
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NDH8321C 规格参数
  • 制造商
    Fairchild Semiconductor
  • 产品种类
    MOSFET
  • 晶体管极性
    N and P-Channel
  • 汲极/源极击穿电压
    +/- 20 V
  • 闸/源击穿电压
    +/- 8 V
  • 漏极连续电流
    + 3.8 A, - 2.7 A
  • 电阻汲极/源极 RDS（导通）
    0.029 Ohms
  • 配置
    Dual Dual Drain
  • 最大工作温度
    + 150 C
  • 安装风格
    SMD/SMT
  • 封装 / 箱体
    SSOT-8
  • 封装
    Reel
  • 下降时间
    22 ns at N Channel, 25 ns at P Channel
  • 最小工作温度
    - 55 C
  • 功率耗散
    0.8 W
  • 上升时间
    22 ns at N Channel, 25 ns at P Channel
  • 工厂包装数量
    3000
  • 典型关闭延迟时间
    48 ns at N Channel, 78 ns at P Channel
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