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NDT452P

更新时间:2025-05-26 17:06:08
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NDT452P外观图

NDT452P

Fairchild Semiconductor FET - 单

MOSFET P-CH 30V 3A SOT-223-4

  • 封装:TO-261-4，TO-261AA
NDT452P 规格参数
  • 标准包装
    1
  • 类别
    分离式半导体产品
  • 家庭
    FET - 单
  • 系列
    -
  • FET 型
    MOSFET P 通道，金属氧化物
  • FET 特点
    逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)
    30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
    3A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
    180 毫欧 @ 3A，10V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）
    3V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs
    25nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds
    525pF @ 10V
  • 功率 - 最大
    1.1W
  • 安装类型
    表面贴装
  • 封装/外壳
    TO-261-4，TO-261AA
  • 供应商设备封装
    SOT-223-3
  • 包装
    Digi-Reel?
  • 其它名称
    NDT452PDKR
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