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NE5230DR2G

更新时间:2025-06-18 01:32:50

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NE5230DR2G

ON Semiconductor Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps

IC OPAMP LOW VOLTAGE 8-SOIC

封装:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

NE5230DR2G 规格参数

标准包装
1
类别
集成电路 (IC)
家庭
Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps
系列
-
放大器类型
通用
电路数
1
输出类型
满摆幅
转换速率
0.25 V/µs
增益带宽积
600kHz
-3db带宽
-
电流 - 输入偏压
40nA
电压 - 输入偏移
400µV
电流 - 电源
1.1mA
电流 - 输出 / 通道
32mA
电压 - 电源，单路/双路(±)
1.8 V ~ 15 V，±0.9 V ~ 7.5 V
工作温度
0°C ~ 70°C
安装类型
表面贴装
封装/外壳
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商设备封装
8-SOICN
包装
剪切带 (CT)
其它名称
NE5230DR2GOSCT

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