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NE85630-A

更新时间:2025-06-14 08:50:38
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NE85630-A外观图

NE85630-A

CEL RF 晶体管 (BJT)

TRANSISTOR NPN 1GHZ SOT-323

  • 封装:SC-70，SOT-323
NE85630-A 规格参数
  • 标准包装
    1
  • 类别
    分离式半导体产品
  • 家庭
    RF 晶体管 (BJT)
  • 系列
    -
  • 晶体管类型
    NPN
  • 电压 - 集电极发射极击穿（最大）
    12V
  • 频率 - 转换
    4.5GHz
  • 噪声系数（dB典型值@频率）
    1.3dB ~ 2.2dB @ 1GHz ~ 2GHz
  • 增益
    6dB ~ 12dB
  • 功率 - 最大
    150mW
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)
    40 @ 7mA，3V
  • 电流 - 集电极 (Ic)（最大）
    100mA
  • 安装类型
    表面贴装
  • 封装/外壳
    SC-70，SOT-323
  • 供应商设备封装
    SOT-323
  • 包装
    散装
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