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NGB8206N

更新时间:2025-07-14 11:45:02
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NGB8206N外观图

NGB8206N

ON Semiconductor IGBT - 单路

IGBT IGNIT N-CHAN 20A 350V D2PAK

  • 封装:TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
NGB8206N 规格参数
  • 标准包装
    50
  • 类别
    分离式半导体产品
  • 家庭
    IGBT - 单路
  • 系列
    -
  • IGBT 类型
    -
  • 电压 - 集电极发射极击穿（最大）
    390V
  • Vge, Ic时的最大Vce（开）
    1.9V @ 4.5V，20A
  • 电流 - 集电极 (Ic)（最大）
    20A
  • 功率 - 最大
    150W
  • 输入类型
    逻辑
  • 安装类型
    表面贴装
  • 封装/外壳
    TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
  • 供应商设备封装
    D2PAK
  • 包装
    管件
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