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NRVB540MFST3G

更新时间:2025-06-04 06:18:00

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NRVB540MFST3G 概述

NRVB540MFST3G是安森美半导体(ON Semiconductor)生产的一款N沟道增强型MOSFET。它采用表面贴装的DPAK封装，适用于高密度设计。该MOSFET具有低导通电阻特性，在栅极电压为10V时典型值仅为5.6毫欧，这有助于降低导通损耗。其最大漏极电流可达74A，适合用于直流-直流转换器、负载开关等功率转换应用。由于其快速的开关速度和良好的热性能，也常被应用于电源管理电路中，如适配器、电池充电器等需要高效能功率控制的场合。在实际使用时需注意保证散热良好，并且驱动电压要足够以确保最佳性能。

NRVB540MFST3G 规格参数

现有数量
5,000现货15,000Factory
系列
-
包装
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷带
产品状态
最后售卖
技术
肖特基
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）
40 V
电流 - 平均整流 (Io)
5A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)
580 mV @ 5 A
速度
快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
反向恢复时间 (trr)
-
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏
2 mA @ 40 V
不同?Vr、F 时电容
-
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
8-PowerTDFN，5 引线
供应商器件封装
5-DFN（5x6）（8-SOFL）
工作温度 - 结
-40°C ~ 175°C

芯产品

304

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