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NSVBSP19AT1G

更新时间:2025-05-19 05:25:38
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NSVBSP19AT1G 规格参数
  • 现有数量
    0现货
  • 系列
    -
  • 包装
    卷带（TR）
  • 产品状态
    停产
  • 晶体管类型
    NPN
  • 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）
    100 mA
  • 电压 - 集射极击穿（最大值）
    350 V
  • 不同?Ib、Ic 时?Vce 饱和压降（最大值）
    500mV @ 4mA，50mA
  • 电流 - 集电极截止（最大值）
    20nA（ICBO）
  • 不同?Ic、Vce?时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）
    40 @ 20mA，10V
  • 功率 - 最大值
    800 mW
  • 频率 - 跃迁
    70MHz
  • 工作温度
    -65°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型
    表面贴装型
  • 封装/外壳
    TO-261-4，TO-261AA
  • 供应商器件封装
    SOT-223（TO-261）
芯知识
2.1万
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广东微尔科技有限公司
NSVBSP19AT1G推荐型号
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