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NTD20N06T4G

更新时间:2025-06-14 12:33:41

供应商
产品型号
服务标识
数量
厂商
封装/批号
说明
询价

深圳市辉华电子半导体有限公司
NTD20N06T4G
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18年用芯服务，承接一站式BOM配单
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展示实力的机会，更是体现服务的开始！

上海磐岳电子有限公司
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优势
25000
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TO252/2024+
进口原装，现货热卖

深圳市创宝来科技有限公司
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9800
ONSEMICONDUCTOR
N/A/1808+
原装正品，亚太区混合型电子元器件分销

深圳市晶美隆科技有限公司
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95000
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SOT252/24+
假一罚十，原装进口现货供应，只做原装

深圳市创芯联盈电子有限公司
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2500个/圆盘一级代理专营品牌原装，优势现货，长期

深圳市芯齐壹科技有限公司
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12000
ON/安森美
TO2523/22+
官网可查icscjh.com

深圳市芯乐创科技有限公司
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-/26+
只做原装，专注提供BOM配单服务

深圳市万佳电子贸易有限公司
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9400
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TO252/23+
原装现货

深圳市华美锐科技有限公司
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8959
on
N/A/dc14
原装正品热卖，价格优势

深圳市科翼源电子有限公司
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63990
ON
TO252/26+
原装现货

昂富（深圳）电子科技有限公司
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292191
onsemi/安森美
TO252/25+
军工单位、研究所指定合供方,一站式解决BOM配单

深圳市怡兴业电子科技有限公司
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6000
ON/安森美
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专注电子元件十年，只做原装现货

深圳市得捷芯城科技有限公司
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ON/安森美
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原装现货，当天可交货，原型号开票

深圳市中元伟业电子商行
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专做MOS/ESD静电二三极管进口替代和技术支持

深圳市科芯源微电子有限公司
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65286
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全新原装现货，长期供应，免费送样

深圳市得捷芯城科技有限公司
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onsemi(安森美)
TO252/23+
原装现货，当天可交货，原型号开票

深圳市金嘉锐电子有限公司
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原装优势有货

深圳市宏世佳电子科技有限公司
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TO2522/2025+
全新原装、公司现货热卖

深圳晨欣芯讯电子科技有限公司
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TO252/2020+
原装现货

深圳市博伟奇电子有限公司
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高品质优选好芯

深圳市星诚通电子有限公司
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ON/安森美
SMD/2605+
库存现货

深圳市思跃电子有限公司
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深圳市华美锐电子有限公司
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ON/安森美
TO252/22+
只做原装,专注海外现货订购20年

深圳市硅诺电子科技有限公司
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TO252/25+
原装认证有意请来电或QQ洽谈

深圳市芯齐壹科技有限公司展会宣传
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540030
-
to223/22+
可查官网https//www.icscjh.com/

深圳市伟欣华电子有限公司
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150000
ON/安森美
TO252/21+
原装现货，价格优势，支持bom表配单

深圳市威尔健半导体有限公司
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8500
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-/2025+
原装现货

深圳市安富世纪电子有限公司
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6000
ON/安森美
SOT252/23+
终端可以免费供样，支持BOM配单

深圳市诚研翔科技有限公司
NTD20N06T4G
5000
ON/安森美
TO252/22+
原装现货，配单助手

深圳市岳泰达电子有限公司
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12500
ON(安森美)
TO2523/25+
16年老牌企业原装低价现货

深圳市捷立辉科技有限公司
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78000
ON/安森美
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Onsemi 华南区实力现货分销商

瀚佳科技（深圳）有限公司
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16800
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DPAK(TO252)/2020+
原装进口现货，假一赔十，价格优势

深圳市正纳电子有限公司
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ON(安森美)
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现货十年以上分销商，原装进口件，服务型企业

瀚佳科技（深圳）有限公司
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65200
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TO2523/21+
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深圳市硅宇电子有限公司
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15988
ON Semiconductor(安森美)
SMD/25+
助力国营二十余载，一站式BOM配单

深圳市莱克讯科技有限公司
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原包装正品现货库存-正规渠道增值税票

深圳市米数科技有限公司
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5000
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TO2523/25+
只做原装，价格市场

深圳市赛思尔科技有限公司
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原装现货，长期供应

深圳市威雅利发展有限公司
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深圳市优尚半导体科技有限公司
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ONSEMI/安森美
DPAK(TO252)/23+
优势产品原装现货

蓝界科技（深圳）有限公司
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DPAK3/18+
国内库存，原装现货/特卖价

深圳市勤尚伟业电子有限公司
NTD20N06T4G
5000
ON(安森美)
TO2523/25+
只做原装，可提供技术支持及配单服务

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NTD20N06T4G外观图

NTD20N06T4G

ON Semiconductor FET - 单

MOSFET N-CH 60V 20A DPAK

封装:TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63

NTD20N06T4G 概述

NTD20N06T4G是安森美半导体生产的一款N沟道增强型功率MOSFET。该器件采用DPAK封装，具有低导通电阻特性，在栅极电压为10V时，最大导通电阻仅为0.037Ω。其漏源击穿电压为60V，连续漏极电流可达20A，适用于多种应用场合。典型应用场景包括电源管理电路如DC - DC转换器、电池充电器以及电机驱动电路等。在实际应用中，为了确保MOSFET稳定工作，应注意栅极驱动电路的设计，保证足够的栅极驱动电压以降低导通电阻。在布局布线时，尽量减小源极和漏极引脚的走线电感，避免开关过程中产生过高的电压尖峰对MOSFET造成损坏。同时，可根据具体的应用需求合理选择散热方式，如添加散热片等，以确保MOSFET在额定功率下可靠工作。

NTD20N06T4G 规格参数

标准包装
2,500
类别
分离式半导体产品
家庭
FET - 单
系列
-
FET 型
MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点
标准型
漏极至源极电压(Vdss)
60V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
20A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
46 毫欧 @ 10A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）
4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
30nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds
1015pF @ 25V
功率 - 最大
1.88W
安装类型
表面贴装
封装/外壳
TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
供应商设备封装
DPAK-3
包装
带卷 (TR)
其它名称
NTD20N06T4GOSNTD20N06T4GOS-NDNTD20N06T4GOSTR

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