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NTMFS005P03P8ZT1G

更新时间:2025-06-01 03:39:35
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NTMFS005P03P8ZT1G 规格参数
  • 现有数量
    0现货
  • 系列
    -
  • 包装
    卷带（TR）
  • 产品状态
    在售
  • FET 类型
    P 通道
  • 技术
    MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）
    30 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
    15.3A（Ta），164A（Tc）
  • 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
    4.5V，10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
    2.7 毫欧 @ 22A，10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
    3V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）
    112 nC @ 4.5 V
  • Vgs（最大值）
    ±25V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
    7880 pF @ 15 V
  • FET 功能
    -
  • 功率耗散（最大值）
    900mW（Ta），104W（Tc）
  • 工作温度
    -55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型
    表面贴装型
  • 供应商器件封装
    5-DFN（5x6）（8-SOFL）
  • 封装/外壳
    8-PowerTDFN，5 引线
芯知识
2.1万
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广东微尔科技有限公司
黄金展位供应商

  • 电话：18100277303
    深圳市威尔健半导体有限公司
    QQ:3008137197

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