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NTMFS4H013NFT1G

更新时间:2025-07-10 03:35:48
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NTMFS4H013NFT1G 规格参数
  • 现有数量
    0现货
  • 系列
    -
  • 包装
    卷带（TR）
  • 产品状态
    停产
  • FET 类型
    N 通道
  • 技术
    MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）
    25 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
    43A（Ta），269A（Tc）
  • 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
    4.5V，10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
    0.9 毫欧 @ 30A，10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
    2.1V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）
    56 nC @ 10 V
  • Vgs（最大值）
    ±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
    3923 pF @ 12 V
  • FET 功能
    -
  • 功率耗散（最大值）
    2.7W（Ta），104W（Tc）
  • 工作温度
    150°C（TJ）
  • 安装类型
    表面贴装型
  • 供应商器件封装
    5-DFN（5x6）（8-SOFL）
  • 封装/外壳
    8-PowerTDFN，5 引线
芯知识
3.3万
视频广告链接全球，智造未来：苏州固锝以创新矩阵亮相国际高端产业舞台
苏州固锝电子股份有限公司
黄金展位供应商

  • 电话：18100277303
    深圳市威尔健半导体有限公司
    QQ:3008137197

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