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NTP45N06

更新时间:2025-07-03 15:57:54

供应商
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封装/批号
说明
询价

深圳市创芯联盈电子有限公司
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NTP45N06外观图

NTP45N06

ON Semiconductor FET - 单

MOSFET N-CH 60V 45A TO220AB

封装:TO-220-3

NTP45N06 概述

NTP45N06是来自美国万代（ON Semiconductor）的一款N沟道增强型功率MOSFET。该器件采用DPAK封装，具有低导通电阻特性，在栅极电压为10V时典型值仅为0.037欧姆。其最大漏源电压（VDSS）可达60V，连续漏极电流（ID）在25℃下最高为45A。这款MOSFET适用于多种应用场合，如直流-直流转换器、电池管理电路以及电机驱动控制等需要高效功率转换的领域。在电源管理系统中，NTP45N06能够有效降低能量损耗，提高系统整体效率。当用于电机驱动时，快速的开关速度有助于减少开关损耗并提升驱动性能。设计电路时需注意散热处理以确保器件工作在安全温度范围内。

NTP45N06 规格参数

标准包装
50
类别
分离式半导体产品
家庭
FET - 单
系列
-
FET 型
MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点
标准型
漏极至源极电压(Vdss)
60V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
45A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
26 毫欧 @ 22.5A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）
4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
46nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds
1725pF @ 25V
功率 - 最大
2.4W
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-220-3
供应商设备封装
TO-220AB
包装
管件
其它名称
NTP45N06OS

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