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NVD5C688NLT4G

更新时间:2025-05-24 22:02:51
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TC7SET08FUHGTG30N60A4DSN74ACT08DRHMC470LP3EP0080SAIL4218RPI-352ITS4140N
NVD5C688NLT4G 规格参数
  • 现有数量
    2,450现货
  • 系列
    Automotive, AEC-Q101
  • 包装
    卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态
    在售
  • FET 类型
    N 通道
  • 技术
    MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）
    60 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
    17A（Tc）
  • 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
    4.5V，10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
    27.4 毫欧 @ 10A，10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
    2.1V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）
    3.4 nC @ 4.5 V
  • Vgs（最大值）
    ±16V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
    400 pF @ 25 V
  • FET 功能
    -
  • 功率耗散（最大值）
    18W（Tc）
  • 工作温度
    -55°C ~ 175°C（TJ）
  • 安装类型
    表面贴装型
  • 供应商器件封装
    DPAK
  • 封装/外壳
    TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
芯知识
2.0万
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广东微尔科技有限公司
NVD5C688NLT4G推荐型号
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