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NVJD5121NT1G

更新时间:2025-06-08 03:14:42
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NVJD5121NT1G 规格参数
  • 现有数量
    17,465现货
  • 系列
    Automotive, AEC-Q101
  • 包装
    卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态
    在售
  • 技术
    MOSFET（金属氧化物）
  • 配置
    2 N-通道（双）
  • FET 功能
    -
  • 漏源电压（Vdss）
    60V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
    295mA
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
    1.6 欧姆 @ 500mA，10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
    2.5V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）
    0.9nC @ 4.5V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
    26pF @ 20V
  • 功率 - 最大值
    250mW
  • 工作温度
    -55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型
    表面贴装型
  • 封装/外壳
    6-TSSOP，SC-88，SOT-363
  • 供应商器件封装
    SC-88/SC70-6/SOT-363
芯知识
3.3万
视频广告链接全球，智造未来：苏州固锝以创新矩阵亮相国际高端产业舞台
苏州固锝电子股份有限公司
NVJD5121NT1G推荐型号

IC型号索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

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