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NVMFD5875NLT3G

更新时间:2025-05-25 19:00:18
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NVMFD5875NLT3G 规格参数
  • 现有数量
    0现货
  • 系列
    Automotive, AEC-Q101
  • 包装
    卷带（TR）
  • 产品状态
    停产
  • 技术
    MOSFET（金属氧化物）
  • 配置
    2 N-通道（双）
  • FET 功能
    逻辑电平门
  • 漏源电压（Vdss）
    60V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
    7A
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
    33 毫欧 @ 7.5A，10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
    3V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）
    20nC @ 10V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
    540pF @ 25V
  • 功率 - 最大值
    3.2W
  • 工作温度
    -55°C ~ 175°C（TJ）
  • 安装类型
    表面贴装型
  • 封装/外壳
    8-PowerTDFN
  • 供应商器件封装
    8-DFN（5x6）双标记（SO8FL-双通道）
芯知识
3.0万
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广东微尔科技有限公司
NVMFD5875NLT3G推荐型号
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