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NVMFS5C645NT1G

更新时间:2025-08-10 06:59:14
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NVMFS5C645NT1G 规格参数
  • 现有数量
    0现货
  • 系列
    Automotive, AEC-Q101
  • 包装
    卷带（TR）
  • 产品状态
    在售
  • FET 类型
    N 通道
  • 技术
    MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）
    60 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
    20A（Ta），92A（Tc）
  • 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
    10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
    4.6 毫欧 @ 50A，10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
    4V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）
    20.4 nC @ 10 V
  • Vgs（最大值）
    ±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
    1500 pF @ 25 V
  • FET 功能
    -
  • 功率耗散（最大值）
    3.7W（Ta），79W（Tc）
  • 工作温度
    -55°C ~ 175°C（TJ）
  • 安装类型
    表面贴装型
  • 供应商器件封装
    5-DFN（5x6）（8-SOFL）
  • 封装/外壳
    8-PowerTDFN，5 引线
芯知识
2.1万
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广东微尔科技有限公司
NVMFS5C645NT1G推荐型号
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