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NVMJS0D9N04CLTWG

更新时间:2025-05-15 22:31:36
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NVMJS0D9N04CLTWG 规格参数
  • 现有数量
    0现货
  • 系列
    Automotive, AEC-Q101
  • 包装
    卷带（TR）
  • 产品状态
    在售
  • FET 类型
    N 通道
  • 技术
    MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）
    40 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
    50A（Ta），330A（Tc）
  • 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
    4.5V，10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
    0.82 毫欧 @ 50A，10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
    2V @ 190μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）
    143 nC @ 10 V
  • Vgs（最大值）
    ±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
    8862 pF @ 25 V
  • FET 功能
    -
  • 功率耗散（最大值）
    3.8W（Ta），167W（Tc）
  • 工作温度
    -55°C ~ 175°C（TJ）
  • 安装类型
    表面贴装型
  • 供应商器件封装
    8-LFPAK
  • 封装/外壳
    SOT-1205，8-LFPAK56
芯知识
3.3万
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苏州固锝电子股份有限公司
NVMJS0D9N04CLTWG推荐型号

IC型号索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

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