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NVR4501NT1G

更新时间:2025-05-16 23:48:26

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深圳市创芯联盈电子有限公司
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深圳市优尚半导体科技有限公司
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深圳市佳丽达电子有限公司
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深圳市优尚半导体科技有限公司
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深圳市阿尔派电子科技有限公司
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深圳市特莱科技有限公司
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深圳市腾迅辉电子科技有限公司
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深圳市杰兴伟业电子有限公司
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深圳市港博科电子有限公司
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深圳市正纳电子有限公司
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现代芯城（深圳）科技有限公司
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深圳市勤尚伟业电子有限公司
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只做原装，可提供技术支持及配单服务

深圳市威雅利发展有限公司
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深圳海天芯供应链有限公司
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NVR4501NT1G 概述

NVR4501NT1G是安森美半导体(ON Semiconductor)生产的一款低饱和电压、表面贴装的双NPN晶体管。该型号采用SOT-23封装，具有体积小、便于集成的特点。其典型应用包括信号放大、开关电路及模拟电路设计等场合。在便携式设备和消费类电子产品中广泛应用，例如手机、平板电脑等设备中的电源管理电路。使用时需注意其最大集电极-发射极电压为40V，确保不超过额定值以避免损坏器件。电路设计中应合理布局走线，减少寄生参数对性能的影响，推荐参考官方数据手册进行电路搭建以保证稳定性与可靠性。

NVR4501NT1G 规格参数

现有数量
2,855现货
系列
Automotive, AEC-Q101
包装
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷带
产品状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
3.2A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
2.5V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
80 毫欧 @ 3.6A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.2V @ 250μA
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）
6 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）
±12V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
200 pF @ 10 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
1.25W（Tj）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
SOT-23-3（TO-236）
封装/外壳
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

芯产品

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