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NVTP2955G

更新时间:2025-05-29 09:23:55
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NVTP2955G 规格参数
  • 制造商
    ON Semiconductor
  • 产品种类
    MOSFET
  • 晶体管极性
    P-Channel
  • 汲极/源极击穿电压
    - 60 V
  • 漏极连续电流
    - 12 A
  • 电阻汲极/源极 RDS（导通）
    156 mOhms
  • 配置
    Single
  • 最大工作温度
    + 175 C
  • 安装风格
    Through Hole
  • 封装 / 箱体
    TO-220
  • 下降时间
    85 ns
  • 正向跨导 gFS（最大值/最小值）
    6 S
  • 栅极电荷 Qg
    14 nC
  • 最小工作温度
    - 55 C
  • 功率耗散
    62.5 W
  • 上升时间
    80 ns
  • 典型关闭延迟时间
    47 ns
芯知识
3.3万
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苏州固锝电子股份有限公司
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