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NVTR4502PT1G

更新时间:2025-06-04 13:37:56

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深圳市芯国创科技有限公司
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NVTR4502PT1G

ON Semiconductor FET - 单

MOSFET P-CH 30V 1.95A SOT23

封装:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

NVTR4502PT1G 概述

NVTR4502PT1G是安森美半导体(ON Semiconductor)生产的一款P沟道增强型MOSFET。该器件采用SOT-23封装，具有低导通电阻特性，在4.5V栅极驱动下最大导通电阻仅为0.06Ω，能够有效降低导通损耗。其工作电压范围为-20V至-1.2V，适用于低侧负载开关、电源管理以及电池保护等便携式设备应用中。在手持设备和消费类电子产品中，由于其紧凑的封装尺寸和良好的电气性能，可以实现高效能的功率控制与转换功能。设计时需注意正确选择栅极驱动电压以确保完全开启MOSFET，并合理布局PCB以优化散热效果。

NVTR4502PT1G 规格参数

标准包装
3,000
类别
分离式半导体产品
家庭
FET - 单
系列
-
FET 型
MOSFET P 通道，金属氧化物
FET 特点
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)
30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
1.95A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
200 毫欧 @ 1.95A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）
3V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
10nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds
200pF @ 15V
功率 - 最大
400W
安装类型
表面贴装
封装/外壳
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商设备封装
SOT-23-3
包装
带卷 (TR)

芯知识

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