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NX1029X,115

更新时间:2025-05-27 17:37:53
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NX1029X,115外观图

NX1029X,115

NXP Semiconductors FET - 阵列

MOSFET DUAL N/P-CH SOT666

  • 封装:SOT-563，SOT-666
NX1029X,115 规格参数
  • 标准包装
    4,000
  • 类别
    分离式半导体产品
  • 家庭
    FET - 阵列
  • 系列
    -
  • FET 型
    N 和 P 沟道
  • FET 特点
    *
  • 漏极至源极电压(Vdss)
    60V，50V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
    410mA
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
    -
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）
    -
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs
    -
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds
    -
  • 功率 - 最大
    -
  • 安装类型
    表面贴装
  • 封装/外壳
    SOT-563，SOT-666
  • 供应商设备封装
    SOT-666
  • 包装
    带卷 (TR)
  • 其它名称
    NX1029X115
芯产品
6888
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广东微尔科技有限公司
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