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PEMD18,115

更新时间:2025-05-31 02:02:57
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PEMD18,115外观图

PEMD18,115

NXP Semiconductors 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式

TRANS PREBIASED DUAL SOT666

  • 封装:SOT-563，SOT-666
PEMD18,115 规格参数
  • 标准包装
    4,000
  • 类别
    分离式半导体产品
  • 家庭
    晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式
  • 系列
    -
  • 晶体管类型
    1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）
  • 电流 - 集电极 (Ic)（最大）
    100mA
  • 电压 - 集电极发射极击穿（最大）
    50V
  • 电阻器 - 基极 (R1)（欧）
    4.7k
  • 电阻器 - 发射极 (R2)（欧）
    10k
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)
    50 @ 10mA，5V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）
    100mV @ 500µA，10mA
  • 电流 - 集电极截止（最大）
    1µA
  • 频率 - 转换
    -
  • 功率 - 最大
    300mW
  • 安装类型
    表面贴装
  • 封装/外壳
    SOT-563，SOT-666
  • 供应商设备封装
    SOT-666
  • 包装
    带卷 (TR)
  • 其它名称
    934058923115PEMD18 T/RPEMD18 T/R-ND
芯知识
2.1万
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广东微尔科技有限公司
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