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PEMZ7,115

更新时间:2025-05-23 02:29:04
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PEMZ7,115外观图

PEMZ7,115

NXP Semiconductors 晶体管(BJT) - 阵列

TRANS NPN/PNP 12V 500MA SOT666

  • 封装:SOT-563，SOT-666
PEMZ7,115 规格参数
  • 标准包装
    4,000
  • 类别
    分离式半导体产品
  • 家庭
    晶体管(BJT) - 阵列
  • 系列
    -
  • 晶体管类型
    NPN，PNP
  • 电流 - 集电极 (Ic)（最大）
    500mA
  • 电压 - 集电极发射极击穿（最大）
    12V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）
    220mV @ 10mA，200mA
  • 电流 - 集电极截止（最大）
    -
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)
    200 @ 10mA，2V
  • 功率 - 最大
    300mW
  • 频率 - 转换
    420MHz，280MHz
  • 安装类型
    表面贴装
  • 封装/外壳
    SOT-563，SOT-666
  • 供应商设备封装
    SOT-666
  • 包装
    带卷 (TR)
  • 其它名称
    934056714115PEMZ7 T/RPEMZ7 T/R-ND
芯知识
2.1万
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广东微尔科技有限公司
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