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PHB11N06LT,118

更新时间:2025-06-10 05:36:07
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PHB11N06LT,118外观图

PHB11N06LT,118

NXP Semiconductors FET - 单

MOSFET N-CH 55V 10.3A SOT404

  • 封装:TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
PHB11N06LT,118 规格参数
  • 标准包装
    800
  • 类别
    分离式半导体产品
  • 家庭
    FET - 单
  • 系列
    TrenchMOS™
  • FET 型
    MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 特点
    逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)
    55V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
    10.3A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
    130 毫欧 @ 5.5A，10V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）
    2V @ 1mA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs
    5.2nC @ 5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds
    330pF @ 25V
  • 功率 - 最大
    33W
  • 安装类型
    表面贴装
  • 封装/外壳
    TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
  • 供应商设备封装
    D2PAK
  • 包装
    带卷 (TR)
  • 其它名称
    934055182118PHB11N06LT /T3PHB11N06LT /T3-ND
芯知识
3.1万
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广东微尔科技有限公司
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