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PHM30NQ10T,518

更新时间:2025-05-17 05:40:00
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PHM30NQ10T,518外观图

PHM30NQ10T,518

NXP Semiconductors FET - 单

MOSFET N-CH 100V 37.6A SOT685-1

  • 封装:8-VDFN 裸露焊盘
PHM30NQ10T,518 规格参数
  • 标准包装
    2,500
  • 类别
    分离式半导体产品
  • 家庭
    FET - 单
  • 系列
    TrenchMOS™
  • FET 型
    MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 特点
    逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)
    100V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
    37.6A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
    20 毫欧 @ 18A，10V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）
    4V @ 1mA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs
    53.7nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds
    3600pF @ 25V
  • 功率 - 最大
    62.5W
  • 安装类型
    表面贴装
  • 封装/外壳
    8-VDFN 裸露焊盘
  • 供应商设备封装
    8-HVSON
  • 包装
    带卷 (TR)
  • 其它名称
    934057308518PHM30NQ10T /T3PHM30NQ10T /T3-ND
芯产品
1.2万
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广东微尔科技有限公司
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