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PHN203,518

更新时间:2025-07-22 12:14:22
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PHN203,518外观图

PHN203,518

NXP Semiconductors FET - 阵列

MOSFET N-CH 30V 6.3A SOT96-1

  • 封装:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
PHN203,518 规格参数
  • 标准包装
    2,500
  • 类别
    分离式半导体产品
  • 家庭
    FET - 阵列
  • 系列
    TrenchMOS™
  • FET 型
    2 个 N 沟道（双）
  • FET 特点
    逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)
    30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
    6.3A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
    30 毫欧 @ 7A，10V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）
    2V @ 1mA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs
    14.6nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds
    560pF @ 20V
  • 功率 - 最大
    2W
  • 安装类型
    表面贴装
  • 封装/外壳
    8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
  • 供应商设备封装
    8-SO
  • 包装
    带卷 (TR)
  • 其它名称
    934055442518PHN203 /T3PHN203 /T3-ND
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